Random Access Memory ist ein Akronym für den Begriff „RAM“. Es handelt sich um eine Art Speicher, der eine kontinuierliche Stromquelle benötigt, um die darin gespeicherten Daten zu speichern.
Dies bedeutet, dass die in diesem folgenden Sinne gespeicherten Daten kompromittiert werden, wenn die Stromquelle zum Laptop oder PC unterbrochen (ausgeschaltet) wird.
RAM wird in zwei Typen eingeteilt: SRAM und DRAM.
Key Take Away
- SRAM ist schneller und teurer als DRAM, erfordert aber mehr Leistung und weniger Speicherdichte.
- DRAM ist langsamer und kostengünstiger als SRAM, aber energieeffizienter und hat eine höhere Speicherdichte.
- SRAM wird für Cache-Speicher und CPU-Register verwendet, während DRAM für Hauptspeicher verwendet wird.
SRAM gegen DRAM
Der Unterschied zwischen SRAM und DRAM besteht darin, dass die Konstruktion und das Design von SRAM recht schwierig sind. Dies liegt daran, dass es seine Leistung mithilfe mehrerer Transistortypen umsetzt. Im Gegensatz dazu ist DRAM aufgrund seiner unkomplizierten Natur sehr einfach zu übernehmen.
Ein weiterer Unterschied besteht darin, dass SRAM-Module trotz des komplizierten Designs einfacher sind als DRAM-Module.
SRAM ist eine Art Halbleiter. Es ist üblich in Mikroprozessoren, leistungsstarken Rechenoperationen und elektrischen Geräten.
Das SRAM ist flüchtig, was bedeutet, dass beim Ausschalten alle darin enthaltenen Daten gelöscht werden.
SRAM besteht aus Flipflops. Es besteht aus 4-6 Transistoren, und sobald das Flipflop ein Bit aufzeichnet, behält es es bei, bis das entsprechende Bit gehalten wird.
DRAM ist eine Form von RAM, die jeden Detailblock (0 oder 1) in einem Speichermodul verwaltet.
Speicherzellen bestehen aus zwei Komponenten, einem kleinen Kondensator und einem Transistor, die beide auf der (MOS)-Innovation basieren.
Der Begriff „dynamisch“ wird verwendet, da sich der Zustand des DRAM aufgrund des allmählichen Energieverlusts der Kondensatoren mit der Zeit von 0 auf 1 ändert.
Vergleichstabelle
| Vergleichsparameter | SRAM | DRAM |
|---|---|---|
| Vollständige Form | Statischer Arbeitsspeicher | Dynamischer Direktzugriffsspeicher |
| Anwendungen | Der Fokus liegt auf den L3- und L2-Cache-Divisionen der CPU | Arbeitet als primärer Speicher |
| Größe | 1 MB zu 16 MB | 1 GB bis 2 GB und 4 GB bis 16 GB für Laptops |
| STANDORT | SRAM befindet sich auf der CPU | DRAM kann sich auf der Hauptplatine eines Geräts befinden |
| Speicherkapazität | Reduzierte Speicherkapazität | Größere Speicherkapazität. |
| Eigenschaften des Ladungsverlusts | Keine Sorge um Ladungslecks | Es verursacht einen Leckstrom |
Was ist SRAM?
SRAM steht für Static Random Access Memory.
Der Ausdruck wird eher „S-RAM“ als „sram“ ausgesprochen. SRAM ist eine Form von Halbleiterspeicher, der jedes Bit unter Verwendung einer bistabilen selbstsperrenden Schaltung speichert.
Es speichert Bits über Flip-Flops. Jedes Flip-Flop hat 4-6 Transistoren. Der Speicherblock mit sechs Transistoren wird zur Verarbeitung von Informationen in dieser Art von RAM verwendet.
Static RAM is deployed as a processor cache memory (CPU).
Es ist bekannt, dass SRAM schneller auf Aktivitäten wie Lesen und Schreiben zugreifen und diese ausführen kann. Die Daten können jederzeit abgerufen werden.
Es ist schneller als DRAM, da es nicht regelmäßig aufgefrischt werden muss.
Es kann Zugriffszeiten von nur 10 Nanosekunden bereitstellen. Da SRAM jedoch mehr Hardware und Verbindungen erfordert, benötigt eine SRAM-Zelle mehr Platz auf einem Chip als eine DRAM-Zelle.
SRAM benötigt kontinuierliche Energie, um seinen Ladezustand aufrechtzuerhalten, und ist daher volatil. Es hat auch zwei kreuzgekoppelte Inverter.
Diese Inverter werden verwendet, um Daten binärer Art zu speichern.
Die SRAM-Idee basiert auf dem kontinuierlichen Wechsel einer Stromrichtung durch die Schalter. Es hat, wie DRAM, keine Kosten. SRAM hat eine geringere Dichte und ist knapper.
Seine Module sind einfacher. Es ist möglich, einfache Schnittstellen für den Speicherzugriff zu erstellen.
Was ist DRAM?
Dynamischer Direktzugriffsspeicher (DRAM) ist eine Form von RAM, die alle Daten in einem anderen Kondensator in einem bestimmten integrierten Schaltkreis (IC) (integrierter Schaltkreis) speichert.
Die Speicherzellen eines DRAM-Chips tragen jeweils einen Informationstyp und bestehen aus einem Transistor und einem Kondensator.
Der Transistor fungiert als Schalter, der es der Steuerschaltung des Speicherchips ermöglicht, den Zustand des Kondensators zu lesen oder zu modifizieren, während der Kondensator dafür verantwortlich ist, das Datenbit in Form einer 1 oder 0 zu speichern.
Ein Kondensator funktioniert ähnlich wie ein Behälter, der Elektronen enthält.
Wenn dieser Behälter gefüllt ist, stellt er eine 1 dar, aber wenn er leer ist, stellt er eine 0 dar. Kondensatoren hingegen haben eine Permeabilität, die dazu führt, dass diese Ladung verloren geht, und als Reaktion darauf leert sich der „Behälter“. innerhalb von Millisekunden.
Aufgrund seiner einfachen Natur ist DRAM relativ einfach zu betreiben.
Die Gesamtzahl der Transistoren in einem Speichermodul beeinflusst die DRAM-Kapazität.
Dadurch hat das DRAM-Modul das Potenzial, sechsmal leistungsfähiger zu sein als das SRAM-Modul (das über die gleiche Anzahl an Transistoren verfügt).
Obwohl DRAM langsamer ist, da es kontinuierlich Daten aktualisieren muss, was Zeit erfordert.
Genau hierher kommt das „Dynamic“ in Dynamic RAM, da es auf die Aktualisierung anspielt, die zum Aufbewahren der Daten erforderlich ist.
Hauptunterschiede zwischen SRAM und DRAM
- SRAM ist eine Kurzform für statischen Direktzugriffsspeicher, während DRAM eine Kurzform für dynamischen Direktzugriffsspeicher ist.
- Die Anwendungsbereiche von SRAM sind die L3- und L2-Cache-Divisionen der CPU. Während DRAM als dient Hauptspeicher in PCs (z. B. DDR3).
- SRAM hat eine Speicherkapazität von 1 MB bis 16 MB. Mittlerweile ist DRAM auf etwa 1 GB bis 2 GB begrenzt, und bei Laptops liegen die Speicherkapazitäten zwischen 4 GB und 16 GB.
- SRAM befindet sich auf der CPU oder bleibt zwischen der CPU und dem Primärspeicher eines Computergeräts stecken. Im Gegensatz dazu kann sich DRAM auf der Hauptplatine eines Geräts befinden.
- SRAM hat eine reduzierte Speicherkapazität. DRAM hingegen verfügt über eine größere Speicherkapazität.
- SRAM hat keine Bedenken wegen Ladungslecks. Der DRAM hingegen nutzt einen Kondensator, der einen Leckstrom verursacht. Häufig ist auch der Einsatz von Stromauffrischungsschaltungen erforderlich.
- https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/6513476/
- https://dl.acm.org/doi/abs/10.1145/2000064.2000094
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