EEPROM против Flash: разница и сравнение

Различные типы памяти используются для различных приложений в зависимости от их доступности, скорости, простоты использования и т. Д. Например, флэш-память используется, когда задействован большой объем данных, и его можно легко перезаписать. Но EEPROM более популярен, когда требуется более быстрый тип памяти, где данные могут быть доступны побайтно. Итак, эта разновидность памяти интегрируется в устройства в соответствии с их назначением. 

Основные выводы

1. EEPROM позволяет стирать и перезаписывать отдельные байты, а флэш-память стирает и записывает большими блоками.
2. Флэш-память обеспечивает более высокую скорость записи и стирания по сравнению с EEPROM.
3. EEPROM потребляет меньше энергии во время операций записи и стирания, чем флэш-память.

ЭСППЗУ против флэш-памяти

Разница между EEPROM и флэш-памятью заключается в том, что EEPROM — это разновидность флэш-памяти, в которой для хранения данных используются логические вентили типа НЕ-ИЛИ. Таким образом, это быстрее, но и дороже одновременно. С другой стороны, флэш-память использует логические элементы типа NAND для хранения данных, но она сравнительно дешевле и широко используется в устройствах хранения, таких как флэш-накопители, SD-карты, цифровые камеры и т. д. 

EEPROM — это аббревиатура электрически стираемого программируемого постоянного запоминающего устройства. Он используется, когда необходимо сохранить небольшой объем данных, особенно в микроконтроллерах электронных устройств. EEPROM может получать доступ к данным и удалять их побайтно, и в основном он используется в системах, где перезапись кода происходит не очень часто. 

Флэш-память, также известная как флэш-память, определяет технологию записи и хранения данных, в которой используются микросхемы флэш-памяти. Приложения флэш-памяти разнообразны, поскольку они могут использоваться в небольших устройствах хранения, таких как флэш-накопители, в системах корпоративного уровня. Флэш-память превосходит любой другой тип жесткого диска с подвижными компонентами, поскольку имеет очень низкую задержку и данные не теряются при выключении системы. 

Сравнительная таблица

Параметры сравнения	EEPROM	Flash
Тип памяти	EEPROM использует память типа NOR (сочетание Not и OR) для хранения данных.	Flash использует память типа NAND (сочетание Not и AND) для хранения данных.
Оформить заказ	EEPROM определяется как потомок Flash.	Флэш-память является родителем EEPROM.
Приложения	EEPROM в основном используется в компьютерах, микроконтроллерах для смарт-карт и т. д. для хранения меньшего объема данных.	Флэш-память широко используется в устройствах хранения данных, таких как USB-накопители, SD-карты, планшеты и т. д., а также в устройствах хранения и сетевых технологиях.
Стирание данных	В случае EEPROM возможны доступ и удаление побайтовых данных.	Флэш-память позволяет получать и удалять данные поблочно, что делает ее немного медленнее.
Переписывание	В EEPROM данные перезаписываются редко.	Во flash данные перезаписываются очень часто.
Доступность	EEPROM очень дорогая по сравнению с Flash из-за памяти типа NOR.	Flash использует память типа NAND, которая дешевле, чем тип NOR.

Что такое ЭСППЗУ?

 EEPROM — это тип энергонезависимой флэш-памяти, в которой используется система хранения типа NOR для чтения, записи и хранения данных. EEPROM известна своей отличной производительностью и очень быстрым откликом, но в то же время она намного дороже других типов флэш-памяти. 

Нет необходимости извлекать EEPROM из компьютерной системы, когда есть необходимость перезаписать или удалить данные. Самым большим преимуществом EEPROM является то, что он может получать доступ к данным и удалять их побайтно, что значительно сокращает время извлечения. Одной из наиболее часто используемых микросхем EEPROM является серия 24CXX, которая включает в себя несколько моделей. 

Общими особенностями EEPROM являются работа при низком напряжении (1.8 В, 2.7 В, 5 В), фильтрация входов для подавления шума, использование двух проводов для чтения и записи данных, протокол двунаправленной передачи данных и т. д. EEPROM имеет несколько применений в телекоммуникационный и автомобильный сектор. 

Что такое Флэш?

 Флэш-память или флэш-память использует микросхемы флэш-памяти для хранения данных. Этот тип хранилища позволяет перезаписывать и удалять данные, но поблочно, что замедляет процесс извлечения данных. Флэш-память использует систему хранения типа NAND, и она более доступна, чем EEPROM. Он имеет энергонезависимую память, что означает, что даже после выключения системы он сохраняет данные.

Существует несколько типов флэш-памяти. Некоторыми из них являются массивы хранения, флэш-накопители SSD, флеш-массивы, хранилища NVMe, гибридные флэш-накопители и т. д. Все эти типы флэш-хранилищ имеют преимущество перед жесткими дисками (HDD), поскольку первые не имеют задержки. , и поэтому время отклика очень быстрое. 

Внедрение флэш-памяти в ИТ-сектор сделало хранение данных более экономичным. Это связано с тем, что флэш-память может хранить большое количество данных, а при ее установке также повышается производительность системы. 

Основные различия между EEPROM и флэш-памятью

1. EEPROM использует память типа NOR (комбинация Not и OR) для хранения данных, тогда как Flash использует память типа NAND (комбинация Not и AND) для хранения данных. 
2. EEPROM — это тип флэш-памяти, но не наоборот.
3. EEPROM в основном используется в компьютерах, микроконтроллерах для смарт-карт и т. д. С другой стороны, флэш-память широко используется в устройствах хранения данных, таких как USB-накопители, SD-карты, планшеты и т. д., а также в технологиях хранения и сетевых технологиях. 
4. В случае EEPROM возможны доступ и удаление побайтовых данных, тогда как флэш-память допускает поблочное удаление данных.
5. В EEPROM данные перезаписываются редко, в то время как во флэш-памяти данные перезаписываются постоянно.
6. EEPROM очень дорогой по сравнению с Flash, потому что он использует память типа NOR, тогда как Flash дешевле, потому что использует память типа NAND. 

Рекомендации

1. https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/1485793/
2. https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/1199079/