SRAM vs DRAM: Rozdíl a srovnání

Random Access Memory je zkratka pro frázi „RAM“. Je to druh paměti, která vyžaduje nepřetržitý zdroj elektřiny, aby se v ní uchovala data.

To znamená, že pokud dojde k přerušení (vypnutí) napájení notebooku nebo PC, data uložená v tomto smyslu budou ohrožena.

RAM se dělí na dva typy: SRAM a DRAM.

Key Takeaways

1. SRAM je rychlejší a dražší než DRAM, ale vyžaduje více energie a menší hustotu úložiště.
2. DRAM je pomalejší a levnější než SRAM, ale je energeticky efektivnější a má vyšší hustotu úložiště.
3. SRAM se používá pro vyrovnávací paměť a registry CPU, zatímco DRAM se používá pro hlavní paměť.

SRAM vs DRAM

Rozdíl mezi SRAM a DRAM je v tom, že konstrukce a design SRAM jsou poměrně obtížné. To je způsobeno skutečností, že implementuje svůj výkon pomocí více typů tranzistorů. Na rozdíl od toho je DRAM díky své přímočaré povaze velmi snadno použitelná.

Dalším rozdílem je, že navzdory komplikovanému designu SRAM jsou jeho moduly jednodušší než moduly DRAM.

SRAM je druh polovodiče. Je to běžné u mikroprocesorů, výkonných výpočetních operací a elektrických přístrojů.

Paměť SRAM je nestálá, což znamená, že při vypnutí napájení se všechna data v ní obsažená vymažou.

SRAM se skládá z klopných obvodů. Skládá se ze 4-6 tranzistorů a jednou flip Flop zaznamenává bit, uchová jej zachován, dokud není držen ekvivalentní bit.

DRAM je forma paměti RAM, která udržuje každý blok detailů (0 nebo 1) v paměťovém modulu.

Paměťové buňky se skládají ze dvou složek, malé kondenzátora tranzistor, z nichž oba jsou založeny na inovacích (MOS).

Termín „dynamický“ je převzat, protože stav DRAM se s časem mění od 0 do 1 v důsledku postupné ztráty energie z kondenzátorů.

Srovnávací tabulka

Parametry srovnání	SRAM	DRAM
Plná forma	Statická paměť s náhodným přístupem	Dynamická paměť s náhodným přístupem
Aplikace	Důraz je kladen na rozdělení mezipaměti CPU L3 a L2	Funguje jako primární paměť
Velikost	1 MB až 16 MB	1 GB až 2 GB a 4 GB až 16 GB pro notebooky
KDE?	SRAM najdete na CPU	DRAM může být umístěna na základní desce zařízení
Kapacita skladu	Snížená kapacita úložiště	Větší skladovací kapacita.
Charakteristika úniku náboje	Žádné obavy z úniku náboje	Způsobuje svodový proud

Co je SRAM?

SRAM je zkratka pro Static Random-Access Memory.

Fráze se vyslovuje spíše „S-RAM“ než „sram“. SRAM je forma polovodičové paměti, která ukládá každý bit pomocí bistabilního samosvorného obvodu.

Ukládá bity přes klopné obvody. Každý klopný obvod má 4-6 tranzistorů. Šestitranzistorový úložný blok se používá ke zpracování informací v tomto druhu paměti RAM.

Statická RAM se většinou používá jako mezipaměť procesoru (CPU).

Je známo, že SRAM je rychlejší pro přístup a provádění činností, jako je čtení a zápis. Data je možné kdykoliv načíst.

Je rychlejší než DRAM, protože se nemusí pravidelně obnovovat.

Může poskytnout přístupové časy pouhých 10 nanosekund. Nicméně, protože SRAM vyžaduje více hardwaru a připojení, buňka SRAM vyžaduje více místa na čipu než buňka DRAM.

SRAM vyžaduje neustálé napájení k udržení stavu nabití, a proto je nestálý. Má také dva křížově spojené měniče.

Tyto měniče se používají k ukládání dat binárního typu.

Myšlenka SRAM je založena na neustálé změně směru proudu přes přepínače. Stejně jako DRAM nemá žádné náklady. SRAM má nižší hustotu a je vzácnější.

Jeho moduly jsou přímočařejší. Je možné vytvořit jednoduchá rozhraní pro přístup k paměti.

Co je DRAM?

Dynamická paměť s náhodným přístupem (DRAM) je forma paměti RAM, která ukládá každý kus dat uvnitř jiného kondenzátoru v jakémkoli specifickém integrovaném obvodu (IC) (integrovaný obvod).

Každá paměťová buňka čipu DRAM nese jeden typ informace a je tvořena tranzistorem a kondenzátorem.

Tranzistor funguje jako spínač, který umožňuje řídicímu obvodu paměťového čipu číst nebo upravovat stav kondenzátoru, zatímco kondenzátor je zodpovědný za ukládání datového bitu ve formě 1 nebo 0.

Kondenzátor funguje podobně jako nádoba, která drží elektrony.

Když je tato nádoba naplněna, představuje 1, ale když je prázdná, představuje 0. Na druhé straně kondenzátory mají propustnost, která vede ke ztrátě tohoto náboje, a jako odpověď se „nádoba“ vyprázdní. v řádu milisekund.

Díky své jednoduché povaze je DRAM relativně snadno ovladatelná.

Celkový počet tranzistorů v paměťovém modulu ovlivňuje kapacitu DRAM.

Výsledkem je, že modul DRAM má potenciál být 6krát kompetentnější než modul SRAM (který má stejný počet tranzistorů).

Přestože DRAM je pomalejší, protože musí neustále obnovovat data, což vyžaduje čas.

To je přesně to, odkud pochází „Dynamic“ v dynamické paměti RAM, protože se zmiňuje o obnově potřebné k uchování dat.

Hlavní rozdíly mezi SRAM a DRAM

1. SRAM je zkrácená forma statické paměti s náhodným přístupem, zatímco DRAM je zkrácená forma dynamické paměti s náhodným přístupem.
2. Oblasti použití SRAM jsou divize mezipaměti CPU L3 a L2. Zatímco DRAM slouží jako primární paměť v ks (například DDR3).
3. SRAM má kapacitu úložiště od 1 MB do 16 MB. Mezitím má DRAM limit přibližně 1 GB až 2 GB a u notebooků se kapacita úložiště pohybuje od 4 GB do 16 GB.
4. Paměť SRAM lze nalézt na CPU nebo zůstává zaseknutá mezi CPU libovolného výpočetního zařízení a primárním úložištěm. Naproti tomu DRAM může být umístěna na základní desce zařízení.
5. SRAM má sníženou kapacitu úložiště. DRAM má na druhou stranu větší úložnou kapacitu.
6. SRAM nemá žádné obavy z úniku náboje. DRAM na druhé straně využívá kondenzátor, který způsobuje svodový proud. Často také vyžaduje použití obvodů pro obnovení napájení.

Reference

1. https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/6513476/
2. https://dl.acm.org/doi/abs/10.1145/2000064.2000094

Poslední aktualizace: 27. června 2023