FET vs BJT : différence et comparaison

Faits marquants

  1. Le transistor à effet de champ (FET) est un composant électronique crucial utilisé dans diverses applications, notamment les circuits d'amplification et de commutation.
  2. Le transistor à jonction bipolaire (BJT) est un dispositif électronique fondamental utilisé dans diverses applications.
  3. Les FET ont une grande indépendance d'entrée, tirant un minimum de courant de la source d'entrée. En revanche, les BJT ont une plus faible indépendance d’entrée car ils nécessitent un courant de base important pour contrôler le collecteur-émetteur.

Qu'est-ce que le FET ?

Le transistor à effet de champ (FET) est un composant électronique crucial utilisé dans diverses applications, notamment les circuits d'amplification et de commutation. Il appartient à la famille des transistors avec le BJT.

Un FET se compose de trois bornes : la source, la porte et le drain. Ce sont des dispositifs commandés en tension qui fonctionnent en fonction de la tension appliquée à la borne de grille. Les FET génèrent un minimum de chaleur et ont une vitesse de commutation plus rapide, ce qui les rend idéaux pour les circuits numériques.

Le fonctionnement d'un FET est basé sur le contrôle du flux de porteurs de charge entre les bornes source et drain en faisant varier la tension sur la borne de grille. Ils offrent plusieurs avantages. Ils ont une impédance d'entrée élevée, consommant un minimum de courant de la source d'entrée, ce qui les rend adaptés aux applications haute fréquence.

Qu'est-ce que le BJT ?

Le transistor à jonction bipolaire est un dispositif électronique fondamental utilisé dans diverses applications. C'est l'un des deux principaux types de transistors. Un BJT se compose de trois couches de matériau semi-conducteur : l'émetteur, la base et le collecteur. Il existe deux principaux types de BJT : négatif-positif-négatif (NPN) et positif-négatif-positif (PNP).

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Le fonctionnement d'un BJT est basé sur le mouvement des porteurs de charge à travers les couches du transistor. Dans un transistor NPN, un faible courant circule dans la borne de base, permettant à un courant plus important de circuler du collecteur vers l'émetteur.

Les BJT présentent certains avantages. Ils peuvent fournir un gain de courant significatif, ce qui les rend idéaux pour les applications où l'application d'un signal est requise, comme dans les amplificateurs audio.

Ce sont des composants essentiels en électronique, notamment dans les circuits d’amplification analogiques. Ce sont des appareils à courant contrôlé avec des configurations NPN et PNP, offrant un gain de courant important mais consommant plus d'énergie et générant de la chaleur.

Différence entre FET et BJT

  1. Les FET sont des dispositifs contrôlés en tension qui régulent le flux de courant entre les sources et les bornes de drain en fonction de la tension appliquée à la borne de grille. Dans le même temps, les BJT sont des dispositifs contrôlés par le courant car ils contrôlent le flux de courant entre les bornes du collecteur et de l'émetteur en ajustant le courant circulant dans la borne de base.
  2. Les FET ont une grande indépendance d'entrée, tirant un minimum de courant de la source d'entrée. En revanche, les BJT ont une plus faible indépendance d’entrée car ils nécessitent un courant de base important pour contrôler le collecteur-émetteur.
  3. Les FET consomment moins d'énergie car ils ont des courants de grille minimes, tandis que les BJT consomment plus d'énergie car ils nécessitent des courants de base pour fonctionner.
  4. Les FET sont bien adaptés à l'amplification de tension en raison de leur grande indépendance d'entrée, tandis que les BJT sont mieux adaptés aux applications actuelles en raison de leur gain de courant, telles que les amplificateurs analogiques.
  5. Les FET ont des vitesses de commutation rapides, ce qui les rend adaptés aux applications numériques et aux circuits haute fréquence, tandis que les BJT ont des vitesses de commutation comparativement plus lentes.
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Comparaison entre FET et BJT

ParamètresFETBJT
Mécanisme de contrôleDispositifs contrôlés en tension pour réguler le flux de courant entre les sources et les bornes de drainDispositifs contrôlés par le courant car ils contrôlent le flux de courant entre le collecteur et l'émetteur
Indépendance des entréesÉlevé car ils consomment peu de courant de la source d’entréeInférieurs car ils nécessitent un courant de base important pour contrôler
Consommation d'énergieMoins de puissance en raison du courant de grille minimalPlus de puissance car ils ont besoin d'un courant de base pour fonctionner
Amplification tension/courantBien adapté à l'amplification de tensionMieux adapté à l'amplification de courant
Vitessevitelent
Bibliographie
  1. https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/002626929390102K
  2. https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/1191766/

Dernière mise à jour : 28 février 2024

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