JFET 或场效应晶体管是用作放大器或开关的电气设备，已成为存储芯片的组成部分。
JFET 和 MOSFET 是两种基于结型晶体管原理工作的 FET，但有很大不同。
关键精华
- JFET（结型场效应晶体管）是一种场效应晶体管，它使用反向偏置的 pn 结来控制源极和漏极端子之间的电流流动。
- MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是另一种场效应晶体管，它使用绝缘栅极来控制电流，提供更好的控制和效率。
- JFET 和 MOSFET 都是电子设备中使用的场效应晶体管，但 JFET 使用 pn 结，而 MOSFET 使用绝缘栅极以获得更好的性能和控制。
JFET与MOSFET
JFET 的意思是 Junction Gate Field Effect Transistor，是一种由源极、栅极和漏极组成的单极器件，用于放大器、开关和电阻器。 MOSFET的意思是金属氧化物半导体场效应晶体管，由四部分组成，用于计算机内存 芯片.
两者之间的以下主要区别是 JFET 允许的输入阻抗比 MOSFET 小，而后者具有 绝缘子 嵌入式，允许更少的电流泄漏。
JFET，称为“ON 器件”，是一种具有低漏极电阻的耗尽型工具。 相比之下，它的后继MOSFET是一种“关断器件”，可以工作在耗尽型和增强型模式下，并且具有高漏极电阻。
对比表
| 比较参数 | 场效应管 | MOSFET |
|---|---|---|
| 输入阻抗 | 约108Ω的低输入阻抗 | 约 1010 至 1015 Ω 的高输入阻抗 |
| 漏极电阻 | 低漏极电阻 | 高漏极电阻 |
| 制造容易 | 比MOSFET更难制造 | 组装起来比 JFET 相对容易 |
| 价格 | 成本低于 MOSFET | 比 JFET 更昂贵 |
| 运作模式 | 耗尽型 | 耗尽型和增强型 |
什么是结场效应晶体管？
JFET 是 Junction Gate Field Effect Transistor 的缩写，是一种单极型器件，由源极、漏极和栅极三部分组成。 它主要用于放大器、电阻器和开关。
它是 FET 的一种主要类型，当小 电压 被施加到栅极端子。 这个小电压允许电流从源极流向漏极并超越。
施加在栅极上的电压 (VGS) 控制耗尽区的宽度，从而控制流过半导体的电流量。 因此，流过沟道的漏极电流与施加的电压成正比。
随着栅极端子上的负电压增加，耗尽区变宽，流过沟道的电流变小。 最后，到达耗尽区完全停止电流流动的阶段。
JFET进一步分为N-Channel JFET，其中连接漏极和源极的沟道被电子重掺杂，以及P-Channel JFET，其中沟道富含空穴
什么是MOSFET？
MOSFET，或金属氧化物半导体 FET 是一种先进的 FET 配置，有四个部分来执行其功能。 它们广泛用于计算机存储芯片，例如用于存储位的金属氧化物半导体存储单元。
MOSFET虽然沿袭了FET的基本原理，但设计更为复杂，效率更高。 MOSFET 也是一种单极器件，可以在耗尽和增强模式下放大信号。
所有类型的 MOSFET 都有一个金属氧化物绝缘体，将衬底与栅极隔开。 当电压施加到栅极端子时，由于静电力，在漏极和源极之间形成允许电流的沟道。
D-MOSFET 在耗尽模式下工作，其中存在一个预先构建的通道，并且该通道在施加电压时关闭，而在增强模式下工作的 E-MOSFET 需要一个电位来创建一个电流通道。
MOSFET 是一种更先进的 FET，用于增加漏极电阻并应用无限输入阻抗，同时降低泄漏电流。
但是，由于与金属氧化物绝缘体相关的腐蚀风险，MOSFET 需要健康维护。
主要区别 之间 JFET 和 MOSFET
- JFET 和 MOSFET 之间的关键区别在于 JFET 中的电流由于 电场 在 PN 结中，在 MOSFET 中是由于金属氧化物层中的横向电场。
- 下一个关键区别是 JFET 具有较低的输入阻抗，而 MOSFET 实际上具有无限大的阻抗，因为栅极和衬底之间没有直接接触。
- 另一个显着区别是 JFET 具有较低的漏极电阻，而 MOSFET 具有较高的漏极电阻。
- JFET 也有较高的漏电流，但 MOSFET 被削减为具有较低漏电流的效率更高。
- 尽管 JFET 比 MOSFET 更难组装，但成本更低。
最后更新时间：11 年 2023 月 XNUMX 日
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Piyush Yadav 在过去的 25 年里一直在当地社区担任物理学家。 他是一位物理学家，热衷于让我们的读者更容易理解科学。 他拥有自然科学学士学位和环境科学研究生文凭。 你可以在他的网站上阅读更多关于他的信息 生物页面.
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