SRAM vs DRAM: diferencia y comparación

Random Access Memory es un acrónimo de la frase "RAM". Es un tipo de memoria que requiere una fuente continua de electricidad para mantener los datos almacenados en ella.

Esto implica que si se interrumpe (apaga) la fuente de alimentación de la computadora portátil o PC, los datos guardados en este sentido se verán comprometidos.

La RAM se clasifica en dos tipos: SRAM y DRAM.

Puntos clave

1. La SRAM es más rápida y costosa que la DRAM, pero requiere más energía y menos densidad de almacenamiento.
2. La DRAM es más lenta y económica que la SRAM, pero consume menos energía y tiene una mayor densidad de almacenamiento.
3. La SRAM se usa para la memoria caché y los registros de la CPU, mientras que la DRAM se usa para la memoria principal.

SRAM frente a DRAM

La diferencia entre SRAM y DRAM es que la construcción y el diseño de SRAM son bastante difíciles. Esto se debe al hecho de que implementa su desempeño utilizando múltiples tipos de transistores. Por el contrario, debido a su naturaleza sencilla, DRAM es muy fácil de adoptar.

Otra distinción es que, a pesar del diseño complicado de SRAM, sus módulos son más simples que los módulos DRAM.

SRAM es un tipo de semiconductor. Es común en microprocesadores, potentes operaciones computacionales y aparatos eléctricos.

La SRAM es volátil, lo que significa que cuando se apaga la alimentación, se borran todos los datos que contiene.

SRAM se compone de flip-flops. Se compone de 4-6 transistores, y una vez que se voltea fracaso registra un bit, lo mantiene preservado hasta que se retiene el bit equivalente.

DRAM es una forma de RAM que mantiene cada bloque de detalle (0 o 1) en un módulo de memoria.

Las celdas de memoria se componen de dos componentes, un pequeño condensador, y un transistor, los cuales se basan en la innovación (MOS).

Se adopta el término “Dinámico” ya que el estado de la DRAM varía de 0 a 1 con el tiempo debido a la pérdida gradual de energía de los capacitores.

Tabla de comparación

Parámetros de comparación	SRAM	DRAM
Forma completa	Memoria estática de acceso aleatorio	Memoria dinámica de acceso aleatorio
Aplicaciones	El foco está en las divisiones de caché L3 y L2 de la CPU	Funciona como la memoria principal
Tamaño	1 MB a 16 MB	1 GB a 2 GB y 4 GB a 16 GB para portátiles
Destino	SRAM se puede encontrar en la CPU	La DRAM se puede ubicar en la placa base de un dispositivo
Capacidad de almacenamiento	Capacidad de almacenamiento reducida	Mayor capacidad de almacenamiento.
Características de la fuga de carga	Sin problemas de fugas de carga	Provoca una corriente de fuga.

¿Qué es SRAM?

SRAM significa memoria estática de acceso aleatorio.

La frase se pronuncia "S-RAM" en lugar de "sram". SRAM es una forma de memoria de semiconductores que almacena cada bit utilizando un circuito de bloqueo automático biestable.

Almacena bits a través de flip-flops. Cada flip-flop tiene 4-6 transistores. El bloque de almacenamiento de seis transistores se utiliza para procesar información en este tipo de RAM.

La RAM estática se implementa principalmente como una memoria caché del procesador (CPU).

Se sabe que SRAM es más rápido para acceder y realizar actividades como leer y escribir. Los datos se pueden recuperar en cualquier momento.

Es más rápido que DRAM ya que no necesita actualizarse regularmente.

Puede proporcionar tiempos de acceso de tan solo 10 nanosegundos. Sin embargo, debido a que SRAM requiere más hardware y conexiones, una celda SRAM requiere más espacio en un chip que una celda DRAM.

SRAM requiere energía continua para mantener su estado de carga y, por lo tanto, es volátil. También tiene dos inversores de acoplamiento cruzado.

Estos inversores se utilizan para almacenar datos de tipo binario.

La idea de SRAM se basa en el cambio continuo de una dirección actual a través de los interruptores. Al igual que DRAM, no tiene costos. SRAM tiene una menor densidad y es más escasa.

Sus módulos son más sencillos. Es posible crear interfaces simples para acceder a la memoria.

¿Qué es DRAM?

La memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) es una forma de RAM que almacena cada dato dentro de otro condensador en cualquier circuito integrado (IC) específico (circuito integrado).

Cada una de las celdas de memoria de un chip DRAM lleva un tipo de información y está compuesta por un transistor y un capacitor.

El transistor actúa como un interruptor, permitiendo que el circuito de control del chip de memoria lea o modifique el estado del capacitor, mientras que el capacitor es responsable de almacenar el bit de datos en forma de 1 o 0.

Un capacitor funciona de manera similar a un contenedor que contiene electrones.

Cuando este contenedor está lleno, representa un 1, pero cuando está vacío, representa un 0. Los capacitores, por otro lado, tienen una permeabilidad que resulta en la pérdida de esta carga, y como respuesta, el "contenedor" se vacía. en cuestión de milisegundos.

Debido a su naturaleza simple, DRAM es relativamente fácil de operar.

El recuento total de transistores en un módulo de memoria influye en la capacidad de DRAM.

Como resultado, el módulo DRAM tiene el potencial de ser 6 veces más competente que el módulo SRAM (que tiene el mismo número de transistores).

Aunque la DRAM es más lenta porque debe actualizar continuamente los datos, lo que requiere tiempo.

Precisamente de aquí viene el “Dynamic” en Dynamic RAM, ya que alude a la actualización necesaria para conservar los datos.

Principales diferencias entre SRAM y DRAM

1. SRAM es una forma abreviada de memoria estática de acceso aleatorio, mientras que DRAM es una forma abreviada de memoria dinámica de acceso aleatorio.
2. Las regiones de aplicación de SRAM son las divisiones de caché L3 y L2 de la CPU. Mientras que la DRAM sirve como Memoria primaria en PC (por ejemplo, DDR3).
3. SRAM tiene una capacidad de almacenamiento que va desde 1 MB hasta 16 MB. Mientras tanto, la DRAM tiene un límite de aproximadamente 1 GB a 2 GB, y para las computadoras portátiles, las capacidades de almacenamiento varían de 4 GB a 16 GB.
4. La SRAM se puede encontrar en la CPU o permanecer atrapada entre la CPU de cualquier dispositivo computacional y el almacenamiento primario. Por el contrario, la DRAM se puede ubicar en la placa base de un dispositivo.
5. SRAM tiene una capacidad de almacenamiento reducida. La DRAM, por otro lado, tiene una mayor capacidad de almacenamiento.
6. SRAM no tiene problemas de fugas de carga. La DRAM, por otro lado, utiliza un condensador, lo que provoca una corriente de fuga. Con frecuencia también requiere el uso de circuitos de actualización de energía.

Referencias

1. https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/6513476/
2. https://dl.acm.org/doi/abs/10.1145/2000064.2000094

Última actualización: 27 de junio de 2023