トランジスタは半導体デバイスです。 電力および電気信号は、トランジスタによって増幅できます。 John Bardeen、Walter Brattain、William Shockley がトランジスタを開発しました。 これは 1947 年にベル研究所でキュレーションされました。
トランジスタの最初のモデルは、点接触ゲルマニウムを使用して作成されました。
主要な取り組み
- NPN トランジスタは XNUMX つの N 型材料の間に XNUMX つの P 型材料が挟まれているのに対し、PNP トランジスタは XNUMX つの P 型材料の間に XNUMX つの N 型材料が挟まれています。
- NPN トランジスタは電子を一次電荷キャリアとして使用しますが、PNP トランジスタは正孔を一次キャリアとして使用します。
- ベースに正の電圧が印加されるとNPNトランジスタがオンになり、ベースに負の電圧が印加されるとPNPトランジスタがオンになります。
NPN対PNP
NPNは、N半導体のXNUMXつの層の間に留まるP半導体の単一層を有するタイプのトランジスタであり、エミッタはNドープされています。 PNPは、XNUMX層のP半導体の中にXNUMX層のN半導体があり、エミッターがPドープされているタイプのトランジスタです。
NPN トランジスタには、コレクタ、ベース、エミッタの XNUMX つの端子があります。 コレクタは接地され、ベースとエミッタはトランジスタを流れる電流を増減するように配置されます。
バイポーラ接合トランジスタ (BJT) は、n 型と p 型のシリコンまたはゲルマニウムの XNUMX 種類の半導体を使用して製造されるトランジスタの一種です。
PNP トランジスタはトランジスタの一種です。PNP トランジスタはバイポーラ接合トランジスタまたは BJT とも呼ばれます。バイポーラ接合トランジスタ (BJT) は増幅器またはスイッチです。3 層トランジスタです。
PNPバージョンには、ドープされたシリコンのXNUMXつの層と、N型の間に真性シリコンのXNUMXつの層が含まれています。 N型をエミッタ、コレクタをP型と呼びます。
比較表
| 比較のパラメータ | NPN | PNP |
|---|---|---|
| Structure | XNUMX つの N 層と XNUMX つの P 層 | XNUMX つの P 層と XNUMX つの N 層 |
| 電流の流れ | ベースからエミッター | エミッターからベース |
| エミッター | Nドープ | Pドープ |
| 減電流 | ターミナルがオフになる | ベースの電流 |
| 完全形 | ネガティブ ポジティブ ネガティブ | ポジティブ ネガティブ ポジティブ |
| 正電圧 | コレクタ | エミッター |
NPNとは？
NPN トランジスタは、電流信号と電圧信号を増幅するために使用できるデバイスです。 この記事では、NPN トランジスタの動作、それに使用される記号、および実際の動作について説明します。
チームは、より良い結果が得られたため、後でシリコンベースの代替品に置き換えました。 この NPN トランジスタには XNUMX つの端子があります。 エミッター、コレクター、ベースです。
B 端子と C 端子間に電圧を加えると、E 端子と C 端子間に特性に応じた電流が流れます。
NPN (負-正-負) トランジスタは、増幅およびスイッチング アプリケーションに使用される XNUMX リード半導体デバイスです。
XNUMX つの P 型半導体と XNUMX つの N 型半導体が PNP 接合構成で配置されています。
入力リードと出力リードのバイアス配置に応じて、電圧アンプまたは電流アンプと見なすことができます。
エミッタ リードは一般にベース端子と呼ばれ、コレクタ リードはエミッタ端子として知られています。トランジスタの 3 つの端子は、エミッタ、ベース、コレクタと呼ばれます。
これは、以前に使用されていたダイオード OR ゲートよりも少ないトランジスタでより複雑なロジック機能を可能にすることで、この問題を解決するために開発されました。
NPN はダイオード OR ゲートに取って代わるものではありませんでしたが、製造業者は、より高価なシリコン トランジスタの代わりに安価なゲルマニウム トランジスタを使用しながら、全トランジスタ論理回路を作成することができました。
PNPとは何ですか？
PNP トランジスタは、XNUMX つの P 型で構成され、それらは N 型の XNUMX つの層で分離されています。 ベース層の厚さとドーピングレベルによって、エミッタ領域とコレクタ領域の間の電流の流れが決まります。
仮想的なバイポーラ接合トランジスタ (BJT) の基本的な動作は、パイプを流れる水にたとえて理解することができます。
この例では、電子は水のようなものであり、正孔はパイプのようなものであり、電場は XNUMX つの端の間の圧力差に似ています。
pn接合ダイオードは、ほぼすべての太陽電池で使用され、可視スペクトル全体にわたって光を吸収します。
このデバイスに光が当たると、電子が原子から放出され、自由な可動電荷キャリア (電子) が生成されます。 これらの可動電荷キャリアは、材料中を自由に流れることができます。
PNP トランジスタには XNUMX つの端子があります。 パワー NPN BJT がより一般的なタイプですが、さまざまな利点があるため、一部のアプリケーションでは PNP トランジスタが使用されています。
PNPトランジスタは、増幅回路や発振回路に使われるトランジスタの一種です。 PNP トランジスタは、コレクタ、ベース、およびエミッタで構成されています。
NPNとPNPの主な違い
- NPNはXNUMXつのn半導体の間にXNUMXつのp半導体がありますが、PNPはXNUMXつのp半導体の間にXNUMXつのn半導体があります。
- ベースからエミッタへの電流ですが、PNP電流はエミッタからベースに流れます。
- エミッターは NPN では N ドープされていますが、PNP ではエミッターは P ドープされています。
- NPN 電流が減少すると端子はオフになりますが、PNP のベースには電流が存在します。
- NPN の頭字語は Negative Positive Negative、PNP の頭字語は Positive Negative Positive です。
- NPN ではコレクタに正電圧、PNP ではエミッタに正電圧。
- https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/1486465/
- https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/1476220/
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