SRAM versus DRAM: verschil en vergelijking

Random Access Memory is een acroniem voor de uitdrukking "RAM". Het is een soort geheugen dat een continue bron van elektriciteit nodig heeft om de gegevens erin te bewaren.

Dit houdt in dat als de stroombron naar de laptop of pc wordt onderbroken (uitgeschakeld), de opgeslagen gegevens in de volgende zin in gevaar komen.

RAM is ingedeeld in twee typen: SRAM en DRAM.

Key Takeaways

1. SRAM is sneller en duurder dan DRAM, maar vereist meer vermogen en minder opslagdichtheid.
2. DRAM is langzamer en goedkoper dan SRAM, maar is energiezuiniger en heeft een hogere opslagdichtheid.
3. SRAM wordt gebruikt voor cachegeheugen en CPU-registers, terwijl DRAM wordt gebruikt voor hoofdgeheugen.

SRAM versus DRAM

Het verschil tussen SRAM en DRAM is dat de constructie en het ontwerp van SRAM vrij moeilijk zijn. Dit komt door het feit dat het zijn prestaties implementeert met behulp van meerdere soorten transistors. Daarentegen is DRAM, vanwege zijn ongecompliceerde aard, heel eenvoudig te adopteren.

Een ander onderscheid is dat ondanks het ingewikkelde ontwerp van SRAM, de modules simplistischer zijn dan DRAM-modules.

SRAM is een soort halfgeleider. Het komt veel voor in microprocessors, krachtige computerbewerkingen en elektrische gadgets.

De SRAM is vluchtig, wat betekent dat wanneer de stroom wordt uitgeschakeld, alle gegevens erin worden gewist.

SRAM bestaat uit flip-flops. Het bestaat uit 4-6 transistors, en eenmaal omgedraaid flop neemt een bit op, het houdt het vast totdat het equivalente bit wordt vastgehouden.

DRAM is een vorm van RAM die elk detailblok (0 of 1) in een geheugenmodule bijhoudt.

Geheugencellen bestaan ​​uit twee componenten, een kleine condensator, en een transistor, die beide gebaseerd zijn op (MOS) innovatie.

De term "dynamisch" wordt gebruikt omdat de status van DRAM in de loop van de tijd varieert van 0 tot 1 als gevolg van het geleidelijke verlies van energie van de condensatoren.

Vergelijkingstabel

Parameters van vergelijking:	SRAM	DRAM
Volledige vorm	Statisch willekeurig toegankelijk geheugen	Dynamisch willekeurig toegankelijk geheugen
Toepassingen	De focus ligt op de L3- en L2-cache-divisies van de CPU	Werkt als het primaire geheugen
Maat	1 MB naar 16 MB	1 GB tot 2 GB en 4 GB tot 16 GB voor laptops
Locatie	SRAM is te vinden op de CPU	DRAM kan zich op het moederbord van een apparaat bevinden
Opslagcapaciteit	Verminderde opslagcapaciteit	Grotere opslagcapaciteit.
Kenmerken van ladingslekkage	Geen zorgen over ladingslekken	Het veroorzaakt een lekstroom

Wat is SRAM?

SRAM staat voor Static Random Access Memory.

De uitdrukking wordt uitgesproken als "S-RAM" in plaats van "sram". SRAM is een vorm van halfgeleidergeheugen dat elke bit opslaat met behulp van bistabiele zelfvergrendelende circuits.

Het slaat bits op via flip-flops. Elke flip-flop heeft 4-6 transistors. Het opslagblok met zes transistors wordt gebruikt om informatie in dit soort RAM te verwerken.

Statische RAM wordt meestal ingezet als processorcachegeheugen (CPU).

SRAM staat erom bekend sneller toegang te krijgen tot activiteiten zoals lezen en schrijven en deze sneller uit te voeren. De gegevens kunnen op elk moment worden opgevraagd.

Het is sneller dan DRAM omdat het niet regelmatig hoeft te worden vernieuwd.

Het kan toegangstijden bieden van slechts 10 nanoseconden. Niettemin, omdat SRAM meer hardware en verbindingen vereist, heeft een SRAM-cel meer ruimte op een chip nodig dan een DRAM-cel.

SRAM heeft continu stroom nodig om zijn laadtoestand te behouden en is daarom vluchtig. Het heeft ook twee kruislings gekoppelde omvormers.

Deze omvormers worden gebruikt om gegevens van het binaire type op te slaan.

Het SRAM-idee is gebaseerd op het continu veranderen van een stroomrichting door de schakelaars. Het heeft, net als DRAM, geen kosten. SRAM heeft een lagere dichtheid en is schaarser.

De modules zijn eenvoudiger. Het is mogelijk om eenvoudige interfaces te creëren voor toegang tot het geheugen.

Wat is DRAM?

Dynamisch willekeurig toegankelijk geheugen (DRAM) is een vorm van RAM die elk stuk gegevens opslaat in een andere condensator in een specifieke geïntegreerde schakeling (IC) (geïntegreerde schakeling).

De geheugencellen van een DRAM-chip bevatten elk een soort informatie en bestaan ​​uit een transistor en een condensator.

De transistor fungeert als een schakelaar, waardoor de besturingsschakelingen van de geheugenchip de status van de condensator kunnen lezen of wijzigen, terwijl de condensator verantwoordelijk is voor het opslaan van het gegevensbit in de vorm van een 1 of 0.

Een condensator werkt op dezelfde manier als een houder die elektronen bevat.

Wanneer deze container gevuld is, vertegenwoordigt het een 1, maar wanneer het leeg is, vertegenwoordigt het een 0. Condensatoren daarentegen hebben een doorlaatbaarheid waardoor deze lading verloren gaat, en als reactie loopt de "container" leeg in een kwestie van milliseconden.

Vanwege zijn eenvoudige aard is DRAM relatief eenvoudig te bedienen.

Het totale aantal transistoren in een geheugenmodule beïnvloedt de DRAM-capaciteit.

Als gevolg hiervan heeft de DRAM-module het potentieel om 6 keer competenter te zijn dan de SRAM-module (die een gelijk aantal transistors heeft).

Hoewel DRAM langzamer is omdat het voortdurend gegevens moet vernieuwen, wat tijd kost.

Dit is precies waar de "Dynamic" in Dynamic RAM vandaan komt, omdat het verwijst naar de verversing die nodig is om de gegevens te behouden.

Belangrijkste verschillen tussen SRAM en DRAM

1. SRAM is een verkorte vorm van statisch willekeurig toegankelijk geheugen, terwijl DRAM een verkorte vorm is van dynamisch willekeurig toegankelijk geheugen.
2. De toepassingsregio's van SRAM zijn de L3- en L2-cache-divisies van de CPU. Terwijl DRAM dient als de primair geheugen in stuks (bijvoorbeeld DDR3).
3. SRAM heeft een opslagcapaciteit variërend van 1 MB tot 16 MB. Ondertussen heeft DRAM een limiet van ongeveer 1 GB tot 2 GB, en voor laptops varieert de opslagcapaciteit van 4 GB tot 16 GB.
4. SRAM bevindt zich op de CPU of blijft vastzitten tussen de CPU van elk computerapparaat en de primaire opslag. DRAM kan zich daarentegen op het moederbord van een apparaat bevinden.
5. SRAM heeft een verminderde opslagcapaciteit. DRAM heeft daarentegen een grotere opslagcapaciteit.
6. SRAM heeft geen zorgen over het lekken van ladingen. De DRAM daarentegen maakt gebruik van een condensator, die een lekstroom veroorzaakt. Het vereist vaak ook het gebruik van stroomverversingscircuits.

Referenties

1. https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/6513476/
2. https://dl.acm.org/doi/abs/10.1145/2000064.2000094

Laatst bijgewerkt: 27 juni 2023