SRAM против DRAM: разница и сравнение

Оперативная память — это аббревиатура фразы «ОЗУ». Это своего рода память, которая требует постоянного источника электроэнергии для хранения хранящихся в ней данных.

Это означает, что если источник питания ноутбука или ПК будет прерван (выключен), данные, сохраненные в этом следующем смысле, будут скомпрометированы.

Оперативная память делится на два типа: SRAM и DRAM.

Основные выводы

1. SRAM быстрее и дороже, чем DRAM, но требует большей мощности и меньшей плотности хранения.
2. DRAM медленнее и дешевле, чем SRAM, но более энергоэффективна и имеет более высокую плотность хранения.
3. SRAM используется для кэш-памяти и регистров ЦП, а DRAM используется для основной памяти.

SRAM против DRAM

Разница между SRAM и DRAM заключается в том, что конструкция и дизайн SRAM довольно сложны. Это связано с тем, что он реализует свою производительность с использованием нескольких типов транзисторов. Напротив, из-за своей простой природы DRAM очень просто внедрить.

Еще одно отличие заключается в том, что, несмотря на сложную конструкцию SRAM, ее модули проще, чем модули DRAM.

SRAM — это своего рода полупроводник. Это распространено в микропроцессорах, мощных вычислительных операциях и электрических гаджетах.

SRAM является энергозависимой, что означает, что при отключении питания все содержащиеся в ней данные стираются.

SRAM состоит из триггеров. Он состоит из 4-6 транзисторов, и один раз флип провал записывает бит, он сохраняет его до тех пор, пока не будет сохранен эквивалентный бит.

DRAM — это форма RAM, которая поддерживает каждый блок деталей (0 или 1) в модуле памяти.

Ячейки памяти состоят из двух компонентов: небольшой конденсатор, и транзистор, оба из которых основаны на инновациях (MOS).

Термин «динамический» используется потому, что состояние DRAM меняется со временем от 0 до 1 из-за постепенной потери энергии конденсаторами.

Сравнительная таблица

Параметры сравнения	SRAM	Динамическое ОЗУ
Полная форма	Статическая оперативная память	Динамическая оперативная память
Приложения	Основное внимание уделяется подразделениям кеша ЦП L3 и L2.	Работает как основная память
Размер	1 MB до 16 MB	От 1 ГБ до 2 ГБ и от 4 ГБ до 16 ГБ для ноутбуков
Адрес	SRAM можно найти на процессоре	DRAM может быть расположена на материнской плате устройства.
Емкость	Уменьшенная емкость хранилища	Большая вместимость.
Характеристики утечки заряда	Нет проблем с утечкой заряда	Это вызывает ток утечки

Что такое СРАМ?

SRAM расшифровывается как статическая оперативная память.

Фраза произносится как «S-RAM», а не как «sram». SRAM — это форма полупроводниковой памяти, в которой каждый бит хранится с использованием бистабильной самоблокирующейся схемы.

Он хранит биты через триггеры. Каждый триггер имеет 4-6 транзисторов. Блок хранения с шестью транзисторами используется для обработки информации в этом виде ОЗУ.

Статическая оперативная память в основном используется как кэш-память процессора (ЦП).

Известно, что SRAM быстрее получает доступ и выполняет такие действия, как чтение и запись. Данные могут быть получены в любое время.

Он быстрее, чем DRAM, поскольку его не нужно регулярно обновлять.

Он может обеспечить время доступа всего 10 наносекунд. Тем не менее, поскольку для SRAM требуется больше оборудования и соединений, для ячейки SRAM требуется больше места на кристалле, чем для ячейки DRAM.

SRAM требует постоянного питания для поддержания состояния заряда и, следовательно, является энергозависимой. Он также имеет два инвертора с перекрестной связью.

Эти инверторы используются для хранения данных в двоичном виде.

Идея SRAM основана на постоянном изменении направления тока через переключатели. У него, как и у DRAM, нет затрат. SRAM имеет меньшую плотность и меньше.

Его модули более просты. Можно создавать простые интерфейсы для доступа к памяти.

Что такое ДРАМ?

Динамическая память с произвольным доступом (DRAM) — это форма RAM, которая хранит каждый фрагмент данных внутри другого конденсатора в любой конкретной интегральной схеме (IC) (интегральная схема).

Каждая ячейка памяти чипа DRAM содержит один тип информации и состоит из транзистора и конденсатора.

Транзистор действует как переключатель, позволяя схеме управления микросхемы памяти считывать или изменять состояние конденсатора, в то время как конденсатор отвечает за хранение бита данных в форме 1 или 0.

Конденсатор функционирует аналогично контейнеру, в котором находятся электроны.

Когда этот контейнер заполнен, он представляет собой 1, но когда он пуст, он представляет собой 0. Конденсаторы, с другой стороны, обладают проницаемостью, которая приводит к потере этого заряда, и в ответ «контейнер» опустошается. в считанные миллисекунды.

Из-за своей простой природы DRAM относительно проста в эксплуатации.

Общее количество транзисторов в модуле памяти влияет на емкость DRAM.

В результате модуль DRAM потенциально может быть в 6 раз более компетентным, чем модуль SRAM (который имеет такое же количество транзисторов).

Хотя DRAM медленнее, потому что она должна постоянно обновлять данные, что требует времени.

Именно отсюда происходит «Динамический» в динамической ОЗУ, поскольку он указывает на обновление, необходимое для хранения данных.

Основные различия между SRAM и DRAM

1. SRAM — это сокращенная форма статической памяти с произвольным доступом, а DRAM — это сокращенная форма динамической памяти с произвольным доступом.
2. Области применения SRAM — это отделы кэш-памяти ЦП L3 и L2. В то время как DRAM служит первичная память в шт. (например, DDR3).
3. SRAM имеет емкость от 1 до 16 МБ. Между тем, DRAM имеет ограничение примерно от 1 до 2 ГБ, а для ноутбуков емкость хранилища варьируется от 4 до 16 ГБ.
4. SRAM может находиться на ЦП или оставаться застрявшей между ЦП любого вычислительного устройства и основным хранилищем. Напротив, DRAM может быть расположена на материнской плате устройства.
5. SRAM имеет уменьшенную емкость хранения. DRAM, с другой стороны, имеет больший объем памяти.
6. У SRAM нет проблем с утечкой заряда. DRAM, с другой стороны, использует конденсатор, который вызывает ток утечки. Это также часто требует использования схемы обновления питания.

Рекомендации

1. https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/6513476/
2. https://dl.acm.org/doi/abs/10.1145/2000064.2000094

Последнее обновление: 27 июня 2023 г.