MLC vs SLC：区别与比较

闪存是一种不需要外接电源就可以保存数据的存储芯片。 闪存可以是NOR或NAND类型。

NAND闪存单元又可以分为SLC(Single-level cell)、MLC(multi-level cell)、TLC(Triple level cell)和QLC(Quad level cell)。

关键精华

1. MLC（多级单元）每个单元存储多于一位的信息，提供比 SLC（单级单元）NAND 闪存更高的存储容量。
2. SLC NAND闪存提供比MLC NAND闪存更快的读写速度、更长的寿命和更好的可靠性。
3. MLC NAND 闪存每 GB 成本较低，在消费电子产品中的应用更为广泛，而 SLC NAND 闪存则用于工业和高端应用。

MLC 与 SLC

MLC 闪存每个存储器存储两位或更多位数据 细胞. 这意味着MLC内存可以在与SLC内存相同的空间内存储更多的信息。 SLC 闪存每个存储单元存储一位数据。 SLC 内存只能在每个单元格中保存 0 或 1。 SLC 内存更快、更可靠且使用寿命更长。

MLC 是商业级的，用于 USB 闪存驱动器 和紧凑型闪存卡。 它们的块大小为 128 K 字节。

SLC用于嵌入式系统，属于工业级。 它的块大小为 64 K 字节。

对比表

比较参数	MLC	SLC
扩展	它被称为多级单元。	每个单元格可以存储两位。
存储	读写性能较低。	每个单元格可以存储一位。
性能	它价格昂贵，不适合通常的市场。	操作更快更可靠。
价格	它不是很贵，而且很容易负担得起。	耐力极佳。
耐力	耐力达到可接受的标准。	耐力非常好。

什么是MLC？

MLC 可以解释多个值范围。 它们是 00,01,10、11、XNUMX 或 XNUMX。

值 01 和 10 对应于部分编程和部分擦除的条件。 在刻度的另一端，值 11 表示完全擦除状态。

MLC 闪存可提供每秒 120 和 150 兆位。 前者的读取速度为 XNUMX 纳秒，而后者则需要 XNUMX 纳秒。

与普通的 MLC 闪存相比，它们具有更多的写入周期。 与 SLC 闪存相比，鉴于其积极的输出和实惠的价格范围，它是最佳解决方案。

这与写入有关。 写周期数越少，错误的范围就越大。

MLC闪存的功耗门槛高，主要有两个原因：不同电压等级的需要和技术上的不足。

什么是 SLC？

SLC 闪存的位值，也称为电压电平，为 0 或 1。值 0 表示已编程状态，而 1 表示已擦除形式。 每个单元都需要单次充电才能读取和写入数据单元。

SLC 的密度为每秒 XNUMX 兆位，读取速度为百纳秒。 由于对电压水平没有波动或不同的要求，因此功耗显着降低。

SLC 以其高品质而闻名 耐力. 由于电压电平数量少（两个），它们的使用寿命很长。

这种类型的闪存保证了数据记录的安全性。 它消除了由于不确定的外部影响因素而导致数据丢失的风险。

MLC和SLC的主要区别

1. MLC 也称为 DLC-Double level cell。 相反，SLC 是单级单元。
2. MLC 具有高密度数据存储，使得检索速度较慢。 相比之下，SLC 中的数据检索速度更快，因为它存储 0 或 1。
3. 由于缺少部分编程，MLC 的性能较慢。 在 SLC 中，这提高了实施速度和效率。
4. MLC针对主流市场，价格适中。 SLC 价格昂贵，因为它迎合了专门的客户类别。
5. 平均而言，MCL 可以提供 10000 个 P/E 周期的输出。 SLC的性能可以达到MLC闪存的十倍。

参考资料

1. https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/5572846/
2. https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/6298208/
3. https://www.usenix.org/legacy/event/fast/tech/full_papers/Grupp.pdf

最后更新时间：13 年 2023 月 XNUMX 日