EEPROM とフラッシュ: 違いと比較

メモリストレージは、入手の容易さ、速度、使いやすさなどから用途に応じて使い分けられています。例えば、大量のデータを扱う場合や書き換えが容易な場合はフラッシュタイプのメモリが使用されます。 ただし、バイト単位でデータにアクセスできる高速なメモリ タイプが必要な場合は、EEPROM がより一般的です。 そのため、このようなさまざまなメモリが目的に応じてデバイスに組み込まれています。 

主要な取り組み

1. EEPROM では個々のバイトの消去と再書き込みが可能ですが、フラッシュ メモリではより大きなブロックでの消去と書き込みが可能です。
2. フラッシュ メモリは、EEPROM に比べて書き込みと消去の速度が高速です。
3. EEPROM は、フラッシュ メモリよりも書き込みおよび消去操作中の消費電力が少なくなります。

EEPROM とフラッシュ

EEPROM とフラッシュ メモリの違いは、EEPROM は NOR 型の論理ゲートを使用してデータを格納する一種のフラッシュであることです。 したがって、それはより高速ですが、同時により高価です。 一方、フラッシュはNAND型の論理ゲートを使用してデータを保存しますが、比較的安価であり、フラッシュドライブ、SDカード、デジタルカメラなどのストレージデバイスで広く使用されています. 

EEPROM Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory の略です。 特に電子機器のマイクロコントローラで、少量のデータを保存する必要がある場合に使用されます。 EEPROM はバイト単位でデータにアクセスして削除することができ、主にコードの書き換えが頻繁に行われないシステムで使用されます。 

フラッシュ ストレージとも呼ばれるフラッシュ メモリは、フラッシュ メモリ チップが使用されるデータの書き込みおよび保存技術を定義します。 フラッシュ ドライブのような小型ストレージ デバイスからエンタープライズ レベルのシステムまで、フラッシュのアプリケーションは多様です。 フラッシュ メモリは、レイテンシが非常に低く、システムの電源を切ってもデータが失われないため、コンポーネントが可動する他の種類のハード ドライブよりも優れています。 

比較表

比較のパラメータ	EEPROM	フラッシュ
メモリタイプ	EEPROM は NOR 型メモリ (Not と OR の組み合わせ) を使用してデータを保存します。	フラッシュは、NAND 型メモリ (Not と AND の組み合わせ) を使用してデータを格納します。
注文	EEPROM は Flash の子孫として定義されています。	フラッシュ メモリは EEPROM の親です。
アプリケーション	EEPROM は主にコンピューター、スマート カード用のマイクロコントローラーなどで少量のデータを保存するために使用されます。	フラッシュ メモリは、USB フラッシュ ドライブ、SD カード、タブレットなどのストレージ デバイスや、ストレージおよびネットワーク テクノロジで広く使用されています。
データを消去する	EEPROM の場合、バイト単位のデータのアクセスと削除が可能です。	フラッシュ メモリを使用すると、ブロックごとにデータにアクセスして削除できるため、処理が少し遅くなります。
書き直し	EEPROMでは、データが書き換えられることはほとんどありません。	フラッシュでは、データは頻繁に書き換えられます。
値ごろ感	EEPROM は、NOR 型メモリのため、フラッシュに比べて非常に高価です。	フラッシュは、NOR 型よりも安価な NAND 型メモリを使用します。

EEPROMとは？

 EEPROM は、データの読み取り、書き込み、保存に NOR 型ストレージ システムを使用する不揮発性フラッシュ メモリの一種です。 EEPROM は、その優れた性能と非常に高速な応答で知られていますが、同時に、他のタイプのフラッシュ メモリよりもはるかに高価です。 

データを書き換えたり削除したりする必要がある場合、コンピュータ システムから EEPROM を取り出す必要はありません。 EEPROM の最大の利点は、バイト単位でデータにアクセスして削除できるため、抽出時間が大幅に短縮されることです。 最も一般的に使用されている EEPROM チップの 24 つは XNUMXCXX シリーズで、その下にいくつかのモデルが含まれています。 

EEPROM の一般的な機能は、低電圧動作 (1.8V、2.7V、5V) であり、入力をフィルタリングします。 ノイズ 抑制、データの読み取りと書き込みのための XNUMX 本のワイヤの使用、双方向データ転送プロトコルなど。 

フラッシュとは何ですか?

 フラッシュ メモリまたはフラッシュ ストレージは、データの保存にフラッシュ メモリ チップを使用します。 このタイプのストレージでは、データの再書き込みと削除が可能ですが、データ抽出プロセスが遅くなるブロック単位の方法になります。 フラッシュ メモリは NAND 型のストレージ システムを使用しており、EEPROM よりも手頃な価格です。 不揮発性メモリを搭載しているため、システムの電源を切ってもデータが保持されます。

フラッシュストレージにはいくつかの種類があります。 その中には、ストレージ アレイ、SSD フラッシュ ドライブ、オール フラッシュ アレイ、NVMe ストレージ、ハイブリッド フラッシュ ストレージなどがあります。これらのタイプのフラッシュ ストレージはすべて、ハード ディスク ドライブ (HDD) よりも優れています。 、したがって、応答時間は非常に高速です。 

IT 部門でのフラッシュ メモリの導入により、データ ストレージがより経済的になりました。 これは、フラッシュ メモリが大量のデータを格納できるためであり、インストールするとシステムのパフォーマンスも向上します。 

EEPROM とフラッシュの主な違い

1. EEPROM は NOR 型メモリ (Not と OR の組み合わせ) を使用してデータを保存しますが、フラッシュは NAND 型メモリ (Not と AND の組み合わせ) を使用してデータを保存します。 
2. EEPROM はフラッシュ メモリの一種ですが、その逆ではありません。
3. EEPROM は主にコンピューター、スマート カード用のマイクロコントローラーなどで使用されます。 一方、フラッシュ メモリーは、USB フラッシュ ドライブ、 SDカード、タブレットなど、ストレージおよびネットワーク技術にも。 
4. EEPROM の場合、バイト単位のデータのアクセスと削除が可能ですが、フラッシュ メモリではブロック単位のデータの削除が可能です。
5. EEPROM ではほとんどデータが書き換えられませんが、Flash では常にデータが書き換えられます。
6. EEPROM は NOR 型メモリを使用するためフラッシュに比べて非常に高価ですが、フラッシュは NAND 型メモリを使用するため安価です。 

参考文献

1. https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/1485793/
2. https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/1199079/

最終更新日 : 11 年 2023 月 XNUMX 日