Электричество играет важную роль в повседневной жизни, как и ток. Ток — это поток заряженных частиц, таких как электроны или ионы, через проводящие материалы, такие как металлические провода.
Ток определяется в цепи, которая включает в себя провод, переключатель, аккумулятор и электронное устройство (чаще всего лампочку); это самая простая схема, которую можно показать для основного объяснения.
Транзисторы имеют три вывода (эмиттер, база и коллектор), что позволяет подключать их к внешней цепи. Они являются активными компонентами интегральных схем.
В основном есть два типа транзисторов; BJT, сокращенно Биполярный переходной транзистор, и FET, сокращенно Полевой транзистор.
Основные выводы
- BJT (транзистор с биполярным переходом) — это тип транзистора, который использует электроны и дырки в качестве носителей заряда и работает за счет управления током базы.
- МОП-транзистор (металлооксидно-полупроводниковый полевой транзистор) — это еще один тип транзистора, который управляет протеканием тока через полупроводниковый канал путем подачи напряжения на вывод затвора.
- Ключевые различия между BJT и MOSFET включают носители заряда, принципы работы, требования к напряжению и скорости переключения, при этом MOSFET предлагают более высокий входной импеданс и более быстрое время переключения.
BJT против МОП-транзистора
BJT управляются током с высокой мощностью и линейным усилением, в то время как MOSFET управляются напряжением с высокой скоростью и низким энергопотреблением, подходящим для цифровых приложений.
Сравнительная таблица
| Параметры сравнения | BJT | МОП-транзистор |
|---|---|---|
| Аппаратная конструкция | Эмиттер, база и коллектор | Источник, усиление и сток |
| Предпочтительно для соискателей | Слаботочные приложения | Мощные приложения для управления током |
| Входное сопротивление | Низкий | High |
| Температурный коэффициент | Отрицательный температурный коэффициент | Положительный температурный коэффициент |
| Устройство | Текущие управляющие устройства | Устройства контроля напряжения |
Что такое БЖТ?
BJT — это аббревиатура от биполярных транзисторов; это тип транзистора, в котором используются заряженные электроны и электронные дырки. Это устройство с током.
BJT используется в качестве усилителя, генератора или переключателя несколькими способами. В основном он имеет три клеммы или контакта; база, коллектор и эмиттер. Выход коллектора или эмиттера зависит от тока в базе.
Работа транзистора BJT управляется током в базе. BJT биполярный; следовательно, есть два перекрестка, названные «P» и «N». Есть два типа BJT; Транзисторы PNP и транзисторы NPN.
Вот некоторые из этих приложений BJT; усилители звука в стереосистемах, схемы управления мощностью, инверторы переменного тока, усилители мощности, импульсные источники питания, регуляторы скорости двигателя переменного тока, реле и водители и т.д.
Транзистор BJT состоит в основном из четырех слоев; первый слой — это эмиттерный слой (n+), который сильно легирован; второй слой является базовым слоем (р), который умеренно легирован; третий слой представляет собой область дрейфа коллектора (n-), которая слабо легирована, и область коллектора четвертого слоя (n+), которая сильно легирована.
BJT предпочтительнее для приложений с низким током, так как он имеет низкую частоту переключения и отрицательный температурный коэффициент.
Что такое MOSFET?
Он также известен как металлооксидно-кремниевые транзисторы, его можно отнести к типу транзисторов с полевыми транзисторами с изолированным затвором, которые дополнительно изготавливаются путем контролируемого окисления полупроводники в основном с кремнием, и он униполярный.
MOSFET используется для усиления или переключения напряжения в цепи. Поле, создаваемое напряжением на затворе, позволяет току течь между истоком и стоком.
Работа MOSFET зависит от MOS конденсатор, поверхность полупроводника между истоком и стоком. Их бесконечное входное сопротивление позволяет усилителю улавливать практически все сигналы.
МОП-транзисторы доступны в двух основных формах; тип истощения, при котором транзистору требуется напряжение затвор-исток для выключения устройства.
Приложения MOSFET включают в себя; радиоуправляемые приложения (такие как лодки, дроны или вертолеты), управление автоматической интенсивностью уличных фонарей, управление крутящим моментом и скоростью двигателя, промышленная среда управления, робототехника, сопряжение с микроконтроллерами для создания систем, управляющих освещением, и т. д.
МОП-транзистор подходит для приложений с высокой мощностью, управления током, а также для аналоговых и цифровых схем. Его выход управляется путем управления напряжением затвора. Имеет положительный температурный коэффициент.
Основные различия между BJT и MOSFET
- BJT используется для устройств управления током, тогда как MOSFET используется для устройств управления напряжением.
- Входное сопротивление BJT низкое. С другой стороны, входное сопротивление MOSFET высокое.
- https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/8249838/
- https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/1486756/
Последнее обновление: 21 июля 2023 г.
Я приложил столько усилий, чтобы написать этот пост в блоге, чтобы предоставить вам ценность. Это будет очень полезно для меня, если вы подумаете о том, чтобы поделиться им в социальных сетях или со своими друзьями/родными. ДЕЛИТЬСЯ ♥️
Пиюш Ядав последние 25 лет работал физиком в местном сообществе. Он физик, увлеченный тем, чтобы сделать науку более доступной для наших читателей. Он имеет степень бакалавра естественных наук и диплом о высшем образовании в области наук об окружающей среде. Подробнее о нем можно прочитать на его био страница.
В этой статье подчеркивается важность понимания тока и транзисторов в электронных схемах. Отличная работа!
Я ценю ясность, представленную в этой статье. Это очень информативно.
Безусловно, знание BJT и MOSFET имеет решающее значение для всех, кто интересуется электроникой.
Это действительно улучшает мое понимание различий между BJT и MOSFET.
Подробные объяснения облегчают понимание концепций. Отличная работа!
Согласен, сравнительная таблица особенно полезна для различения двух типов транзисторов.
Я впечатлен глубиной знаний, представленных в этой статье. Отличная работа!
Сравнение BJT и MOSFET дает ценную информацию для тех, кто интересуется электроникой.
Статья действительно хорошо проработана и продуманно изложена.
Спасибо автору за столь доступное разъяснение ключевых различий между BJT и MOSFET.
Содержание статьи, безусловно, будет полезно для тех, кто хочет расширить свои знания в области электрических компонентов.
Действительно, подробная разбивка характеристик BJT и MOSFET впечатляет.
Подход автора к объяснению различий между BJT и MOSFET одновременно интересен и поучителен.
Конечно, я ценю подробность объяснения.
Представленный здесь глубокий анализ BJT и MOSFET заслуживает похвалы.
Безусловно, углубленное рассмотрение темы добавляет статье значительную ценность.
В статье представлено всестороннее и конструктивное сравнение BJT и MOSFET, которое одновременно информативно и увлекательно.
Точный и подробный характер содержания представляет огромную ценность для читателей, интересующихся электроникой.
Статья, безусловно, отлично справляется с анализом сложностей BJT и MOSFET.
Очень хорошо объяснил! В этой статье представлена ценная информация о BJT и MOSFET.
Я не мог не согласиться. Содержание ясное и лаконичное.
Эта статья вносит столь необходимую ясность в сложную тему транзисторов. Отличный ресурс!
Согласованный. Упрощенные объяснения делают содержание очень доступным и информативным.
Детальное рассмотрение BJT и MOSFET является образцовым. Отличная работа!
Превосходное объяснение BJT и MOSFET! Я впечатлен изложенными деталями!
Да, очень подробно! Я многому научился из этого поста.
Согласен, в статье дан исчерпывающий обзор обоих типов транзисторов.